Материалы сайта
Это интересно
Схема сопряжения датчика с ISA
Схемотехника 1. Базовые элементы ТТЛ 155-й серии. Схемы, принцип работы, назначение элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1. ТТЛ Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором. ЛЭ ТТЛ с простым инвертором Достоинства 1. Простота технической реализации (на одном кристалле). 2. Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие. Недостатки 1. Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ) 2. Малый Kраз (Kраз — число единичных нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ) Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от статических помех и Kраз. Схема с открытым коллектором. Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора. Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором. [pic] Рис.1 Для реализации операции y=x1x2 [pic] Рис.2 [pic] Рис.3 База–коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ. Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует. Достоинства 1. Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2). 2. МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2 Условия 1. Положительная логика 2. [pic] 3. [pic] [pic] 1 случай x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ( “1” МЭТ выполняет следующие функции: 1. Операция “И” [pic] 2. Усиление сигнала. 3. VD1, VD2. 4. VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ. VD1 ( (база-эмиттер VT1)х1, VD2 ( (база-эмиттер VT1)х2. Диод смещения VD3 ( база-коллектор VT1 Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база- коллектор VT1 смещён в прямом направлении, ( режим активный инверсный Uк-э МЭТ ( 0,1 В Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о – Uк-эVT1 ( 1,5 В VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало (( 5..40 Ом) ( Uy = U0 ( 0,2В 2 случай Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В (Up – Un)VT1 x1 = UИП – Ux1 =5 – 0,2 = 4,8В Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется [pic] VT2 закрыт. МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный. ЛЭ ТТЛ-типа серии К155 1. Краз мало в ТТЛ с простым инвертором 2. Rвых ( Rк VT Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором. [pic] Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором. Состав схемы 1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор [pic]. 2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5). 3. Демпфирующий диод VD3. Сложный инвертор включает в себя: 1. VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с корректирующей цепочкой VT5, R3, R4. 2. Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5). c) Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП). d) Инвертор на VT4. Назначение VD1, VD2. Это так называемые демпфирующие диоды — для шунтирования (на корпус) сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При положительной логике уровни сигналов[pic]и [pic] при UИП = +5В. 1. Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L. 2. Наводки (наведённые статические помехи). Первые создает колебательный контур (к/к) [pic] [pic] Рис. 5 В момент окончания сигнала (Ua – Uk)VD1,2 = 0 – (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В ( VD1 открыт и ( RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие своей малости. МЭТ VT1, R1 предназначены для реализации операции “И”. Он представляет собой диодную сборку. Сравним с ДТЛ 1. (б–э)х1 ( VD1 (ДТЛ). (б–э)х2 ( VD2 (ДТЛ). (б–к)VT1 ( VD3 (диод смещения ДТЛ) 2. Выполняет операцию усиления. 3. При закрывании VT2 c области базы (p) осуществляется рассасывание неосновных носителей ( VT1 заменяет Rутечки, включенную в цепь базы транзистора VT1 ДТЛ (R3). Режим работы транзистора VT1 1. Режим насыщения. 2. Активный инверсный. 1. Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня. В этом случае б–э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор открыт и насыщен; б–к смещен в обратном направлении, но открыт. 2. Если на x1 и x2 подана “1”, то б–э смещены в обратном направлении, R велико, а б–к смещен в прямом направлении (R мало). Рассмотрим назначение VT2 Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как показано на рис.4). VT2 предназначен для управления VT3 и VT4. В насыщенном состоянии ток IэVT2=Iк+Iб (IнVT2 < IнVT4). Если в точке k «–», то в точке с «–». VT3(ЭП) ЭП имеет Rвых малое при любой нагрузке в эмиттерной цепи. Rвых при выключенном ЛЭ также мало. В случае воздействия на вход «0» закрывается VT3. Этим исключается возможность протекания сквозного тока от источника питания через открытые VT3 и VT4. В случае открытого VT3 VD3 закрывается, т.е. отсутствует недостаток простого инвертора, т.е. мощность потребления меньше. 1 случай U1 = U2 = U1 ( “1” (б-э)VT1 смещены в обратном направлении. (б-к)VT1 смещён в прямом направлении. ( VT1 работает в активном инверсном режиме. Потенциал т. а достаточен, чтобы открыть переход (б- к)VT1, (б-э)VT2, (б-э)VT5 и (б-э)VT4. [pic] При открытом p-n переходе [pic] [pic] VT2 открыт и насыщен Ток протекает по цепи: «+»ИП ( R2 ( (к-э)VT2о.н. ( R3 (VT5 ( корпус ( R4 ( VT4 открывается напряжением Uc. Оно создается после открытия VT2 и VT5 током эмиттера VT2. Корректирующая цепочка предназначена для защиты от статических помех (для увеличения [pic]) по сравнению с ЛЭ без корректирующей цепочки за счет изменения формы. В интересах повышения помехоустойчивости используется VT2 (это VD4 в схеме ДТЛ) (б-э)VT1 ( VD4 ДТЛ (б-э)VT2 ( VD3 ДТЛ Uколлектора насыщения VT4=0,1В 2 случай Если на один из входов подать уровень напряжения, соответствующим логическому «0», то через переход (б-э)VT1 ток протечет по цепи: «+»ИП ( R1 ( (б-э)VT2 ( X1 ( корпус Ua = U(б-э)откр.VT1 + UX1 = 0,8 + 0,2 = 1В Uk = Ua – U(к-э)VT1 = 1 – 0,1 = 0,9В VT2-VT4 – закрыты При VT2 закрытом Uб ( UИП = 5В. VT3, VD3 открыты, ( Uy = UИП – U(б-э)VT3 – UVD3о = = 5–1,6 = 3,4В Параметры ТТЛ со сложным инвертором Основным параметром в статическом режиме является [pic], [pic], Рпот.ср. (средняя потребляемая мощность). [pic] на VT3 мало ( Kраз высок! [pic] Рис. 6 [pic] [pic] при X2 [pic] [pic] [pic] [pic] ЛЭ включен, т.е. VT2 и VT4 открыты и насыщены. VT3 и VD3 закрыты. При Uвых = U0 ([pic] [pic] [pic] ЛЭ ТТЛ-типа с открытым коллектором Применение: в случае включения в выходной каскад таких компонентов, как реле, светодиод, трансформатор и т.д. и в случае включения резистора в коллекторную цепь с подачей более высокого напряжения питания (до 30В). [pic] Рис.7 ЛЭ ТТЛ-типа с 3-мя состояниями выхода Roff — высокое выходное сопротивление [pic] Рис.8 Фрагмент таблицы истинности: |X1 |X2 |X3 |Y | |1 |1 |1 |Rof| | | | |f | |0 |1 |0 |1 | Состав схемы: 1. Коньюнктор (VT1, R1). В точке 1 [pic]. 2. Сложный инвертор с корректирующей цепочкой: фазоразделительный каскад, корректирующая цепочка, ЭП. Кроме этих компонентов в схему включены VT6, R6, R7. Коллекторная цепь VT6 включена в коллекторную цепь VT2 в точке а. Это необходимо для реализации третьего состояния схемы. Рассмотрим принцип работы с использованием таблицы истинности. Пусть на входах высокий уровень (1 поз. таблицы). В этом случае VT6 открыт и насыщен. Сопротивление VT6 мало (составляет rвых VT6 = rн =5..20 Ом). Из этого следует, что U(к-э)нVT6 ( 0,2В. ( Ua = 0,2В. Определим, какое U в т.1 Uк = UбVT2. VT1 – активный инверсный режим. U1 > Ua ( VT2 – активный инверсный режим. Ток течет по цепи: «+»ИП ( R1 ( б-к VT1( б-к VT2 ( к-э VT6 ( корпус ( «–»ИП. U1 = U(б-к)оVT2 + U(к-э)насVT6 = 1В В этом случае закрыт VT5. Дальше цитата Тимошенко В.С.: «А в каком же состоянии VT4 и VD1? Да они же закрыты!!!». ( на выходе высокое сопротивление Roff. 2 позиция таблицы. VT6 закрыт, Rк-э высокое. Вывод: в случае подачи на вход X3 U0 при положительной логике VT6 закрыт и схема ЛЭ может иметь 2 состояния – включенное и выключенное. Базовые ЛЭ ЭСЛ-типа 500-ой серии. Достоинства: ЛЭ ЭСЛ-типа применяются в быстродействующих устройствах, т.к. она (ЭСЛ) имеет малое tздр (время задержки). Это обусловлено: [pic] (1), где Uл – логический перепад. (Примечание. Для ТТЛ с простым инвертором [pic]) Если в (1) при Cн = const уменьшить Uл, то tздр уменьшается. ЛЭ ЭСЛ имеет малый уровень логического перепада, дост. Большой ток зарада Cпар, ( длительность положительного перепада схемы мала. Рассмотрим состав, принцип работы и назначение элементов схемы. При положительной логике U1 = – 0,9В, U0 = – 1,7В, опорное напряжение [pic]. «ИЛИ–ИЛИ–НЕ» [pic] Рис.9 1. Токовый переключатель. 2. Источник опорного напряжения. 3. Эмиттерные повторители. 1. VT1, VT2 – левое плечо дифференциального усилителя. R1, R2, R5 R3, R4 – сопротивления утечки. На б VT1 и VT2 подаются входные сигналы. На б VT3 поступает опорное напряжение –1,3В. Uл = U1 – U0 = 0,8В 2. Делитель R7R8, диоды VD1 и VD2, ЭП VT4R6, VT3. 3. VT5R9 (R9 и R10 в схему ЛЭ в интегральном исполнении не входят). VT6R10 U(б-э)оVT5,6 = 0,8В Работа X1 = X2 = 0 U1 = – 0,9В U0 = – 1,7В Uоп = –1,3В VT1 и VT2 закрыты. Iк1,2 = 0. VT3 открыт. При этом Uc=–(Uоп) + (–U(б-э)VT3) = (–1,3) + (–0,75) = = –2,05В Что с VT3? Проверим: (Uб – Uэ)VT3 = (–1,3) – (–2,05) = 0,75 — он открыт. (Uб – Uэ)VT1,2 = (–U0) – (–Uc) = (–1,7) – (–2,05) = 0,35В < Uэз = 0,6В ( VT1,2 – закрыты. Т.к. через R1 при закрытых VT1 и VT2 протекает ток IбVT5 (ЭП) по цепи: «+»ИП ( R1 ( б-э VT5( R9 ( «–»ИП [pic] Режим работы VT5 подобран так, что он всегда открыт и через него течет ток: «+»ИП ( R1 ( к-э VT5 ( R9 ( «–»ИП Uб-эVT5o = –0,8В Uy1 = (Ua + Uб-эVT5) = (–0,1) + (–0,8) = –0,9В ( U1 = – 0,9В Uc = Uб-эVT3o + Uоп = (–0,75) + (–1,3) = –2,05В через R2 протекает ток IкVT3, IбVT6. Т.о. создается напряжение Uб = (IкVT3 + IбVT6) R2 = –0,9В Uy2 = Uб + Uб-эVT6o = (–0,9) + (–0,8) = –1,7В [pic] ИЛИ–НЕ В этом случае y2 = «0» [pic] ИЛИ y1 = «1» X1 = X2 = 1 В этом случае VT1,2 открыты, но ненасыщены ( отсутствует избыточность зарядов в цепи базы ( tздр мало. VT3 закрыт Uc = UX1,2 + Uб-эVT1,2o = (–0,9) + (–0,75) = –1,65В. Через R2 протекает только Iб. y1 = «0» y2 = «1» Источник опорного напряжения предназначен для создания стабильного напряжения (–1,3В). Включаются R7, R8. Т.к. температура изменяется, то требуется температурная компенсация VD1,2, VT4, R6 VD1,2 — для термокомпенсации (для обеспечения пропорционального изменения тока делителя). В точке d в зависимости от toC меняется потенциал. Работа источника опорного напряжения (ИОН). Если соединить базу VT3 с точкой d и убрать VD1,2 (закоротить), т.е. исключить VT4 (ЭП) и R6, чтобы мы имели [pic]. Когда VT3 открыт, то имеем недостаток: через R7 кроме Iдел протекает IбVT7 ( (Iдел + IбVT3) R7 = [pic], IбVT3 = I ( to ) [pic] Как видно, постоянство опорного напряжения на базе VT3 не обеспечивается. Для ликвидации этого недостатка вкл. VT4R6. Тогда через делитель R7R8 всегда протекает ток равный Iдел + IбVT4. Но и в этом случае не обеспечивается стабильность напряжения, т.к. IбVT4 = I ( to ). Существует необходимость ввести диоды VD1,2, в которых R меняется в зависимости от изменения to ( изменяется ток Iдел. Этим компенсируется изменение токов IбVT4 и IбVT3 от температуры и обеспечивается температурная стабилизация. Определим потенциал т. d. Т.к. UбVT3 = Ud + Uб-эVT4, то Ud = –Uб-эVT4 + UбVT3 = –(Uоп) – (–Uб-эVT4) = –1,3 – (–0,75) = –0,55В (Uоп