Материалы сайта
Это интересно
Разработка тиристорного преобразователя
3. Разработка электрической принципиальной схемы преобразователя В данном разделе осуществим качественный выбор отдельных элементов проектируемого преобразователя, а именно: силовой части; типа СФУ и узлов в нее входящих, а также составных частей устройства защиты. Для построения силовой части преобразователя выбираем, исходя из требуемой мощности, однофазную несимметричную мостовую схему рис. 7б. Используем несимметричный выпрямитель, так как проектируемый преобразователь не должен обладать свойством рекуперации энергии в сеть, кроме того, это позволит значительно упростить СФУ из-за уменьшения количества управляемых вентилей. В нашем случае, с учетом выбранной силовой части система фазового управления будет содержать два канала, управляющих включением двух тиристоров однофазной несимметричной мостовой схемы. Ввиду того, что проектируемый преобразователь должен обладать минимальными низкочастотными (НЧ) пульсациями выпрямленного напряжения, то выбираем в качестве СФУ систему импульсно-фазового управления горизонтального типа с интегрированием управляющего и синхронизирующего напряжения. Данная схема позволит исключить процесс симметрирования каждого канала управления тиристорами, ибо она обладает свойством независимости момента формирования управляющего импульса от параметров элементов фазосдвигающего устройства. Выбираем элементы, входящие в состав СИФУ. Для построения фазосдвигающего устройства используем схему рис. 39. С целью обеспечения требуемой для включения тиристора длительности управляющего импульса используем ФДИ, представленный на рис. 57. Так как для управления тиристорами необходима определенная мощность управляющего сигнала, то для усиления импульсов управления применяем усилитель мощности, схема которого приведена на рис. 43. Кроме того, для снижения габаритов проектируемого устройства в целом и импульсного трансформатора, используемого для гальванической развязки устройства управления и силовой части, в частности применяем генератор импульсов высокой частоты (высокочастотного заполнения) рис. 58. Рис. 57. Одновибратор на микросхеме 564АГ1. Рис. 58. Генератор ВЧ заполнения Для возможности модуляции управляющих импульсов сигналом, генерируемым генератором ВЧ заполнения, а также для обеспечения блокировки управляющих импульсов при поступлении сигнала от устройства защиты применяем логический элемент “И”. При построении устройства защиты используем функциональную схему рис. 46. В качестве Тг в данной схеме применяем триггер рис. 59. Рис. 59. Триггер на транзисторах Для подачи питания на микросхемы, а также импульсные усилители строим дополнительный узел с использованием трансформатора, диодного моста и интегрального стабилизатора напряжения (КР142ЕН6А). Так как импульсные усилители не критичны к слаженности питающего напряжения, то их питание осуществляем с выхода диодного выпрямителя. [pic]