Материалы сайта
Это интересно
Расчетно-Графическая работа ППД КД213А
[pic] Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи” Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод «КД213А» Преподаватель: Болтаев А.В. Студент: Черепанов К.А. Группа: Р- 207 Екатеринбург 2000 Аннотация В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода. Содержание 1. Краткая характеристика диода 4 2. Паспортные параметры: 4 1. Электрические 4 2. Предельные эксплуатационные 4 3. Вольт-амперная характеристика 5 1. При комнатной температуре 5 2. При повышенной 6 4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6 6. Определение сопротивления базы rб 9 1. Приближенное 9 2. Точное 9 7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10 8. Библиографический список 10 9. Затраты времени на: 10 1. Информационный поиск 10 2. Расчеты 10 3. Оформление 10 Краткая характеристика диода Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 г. КД213А[1] [pic] Рисунок 1 Паспортные параметры: Электрические Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более: Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А…………………………………………………………...………………………300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ Предельные эксплуатационные Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц Тепловое сопротивление переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С Общая таблица параметров |Предельные значения |Tk |Значения параметров при Т= 25?С |R т| |параметров при Т=25?С |max| |п-к| | |(Tп| |, | | |мах| |?С/| | |) | |Вт | | |[Тм| | | | |ах]| | | | |?С | | | |I | |Uоб|Uоб|Iпр| |fма| |Uпр | |tвос,| |I | | |пр,| |р, |р |г | |х, | |(Uпр| |обр | |обр(I | | |ср | |и, |мах|(Iп| |кГц| |, | |(tвос| |обр, | | |max| |п |, В|р, | | | |ср) | |, обр| |ср) [I| | | | |мах| |уд)| | | |[Uпр| |при | |обр, | | |А | |, В| |мах| | | |, | |Tп | |и, п, | | | | | | |, А| | | |и], | |мах),| |при Т | | | | | | | | | | |В | |мкс | |п | | | | | | | | | | | | | | |мах], | | | | | | | | | | | | | | |мА | | | | | | | | | | | | | | | | | | |Т?С| | | |tи(| | | |Iпр | |Iп|Uпр| | | | | | | | |tпр| | | |(Iпр| |р,|, | | | | | | | | |), | | | |, | |и,|и, | | | | | | | | |мс | | | |ср) | |А |В | | | | | | | | | | | | |[Iпр| | | | | | | | | | | | | | | |, | | | | | | | | | | | | | | | |и], | | | | | | | | | | | | | | | |А | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |10 |85 |200|200|100|10 |100|140|1 |10 |0,3 |1 |20 |0,2 |1,5| Вольт-амперная характеристика При комнатной температуре [pic][pic] При повышенной [pic][pic] Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С | | | |Зависи| | | | | | | |мость | | | | | | | |R= от | | | | | | | |Uпр | | | | |Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 | |R= |0,3 |0,23333|0,16 |0,1125|0,0909|0,0733| | | |33 | | |09 |33 | | | | |Зависи| | | | | | |мость | | | | | | |r~ от | | | | | | |Uпр | | | |Uпр |0,1 |0,2 |0,3 |0,4 |0,5 | |r~ |0,1 |0,06666|0,05 |0,0444|0,0384| | | |67 | |44 |62 | | | | |Зависи| | | | | | | |мость | | | | | | | |R= от | | | | | | | |Uобр | | | | |Uобр |50 |100 |150 |200 |250 |300 | |R= |357142|6666666|833333|487804|277777|130434| | |9 |,7 |3 |9 |8 |8 | | | | |Зависи| | | | | | |мость | | | | | | |r~ от | | | | | | |Uобр | | | |Uобр |50 |100 |150 |200 |250 | |r~ |500000|2500000|555555|263157|115740| | |00 |0 |6 |9 |7 | | | | |Зависи| | | | | | | |мость | | | | | | | |Cдиф | | | | | | | |от Uпр| | | | |Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 | |Сдиф |0,08 |0,12 |0,2 |0,32 |0,44 |0,6 | Зависимост Сб от Uобр [pic] Определение величины TKUпрям TKIобр [pic] [pic] [pic] [pic] Определение сопротивления базы rб Приближенное [pic] [pic] Точное [pic] [pic] Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема Библиографический список 1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с. 2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. 3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158) 4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил. 5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л. Затраты времени на: Информационный поиск-72 часf Расчеты-1час (67 мин.) Оформление- 6 часов (357мин.) ----------------------- [1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США ----------------------- Rобр rб Сб Ск [pic] [pic] [pic] [pic] [pic]